En raison de la rareté de la moissanite naturelle, le carbure de silicium est majoritairement synthétique. Il est utilisé comme abrasif et, plus récemment, comme semi-conducteur et simulant de diamant de qualité gemme. Le procédé de fabrication le plus simple consiste à mélanger du sable de silice et du carbone dans un four électrique à résistance graphite Acheson à haute température, entre 1 600 °C et 2 500 °C. Les fines particules de SiO₂ présentes dans les matières végétales (par exemple, les balles de riz) peuvent être transformées en SiC par chauffage avec le carbone excédentaire issu de la matière organique. Les fumées de silice, sous-produit de la production de silicium métal et d'alliages de ferrosilicium, peuvent également être transformées en SiC par chauffage avec du graphite à 1 500 °C.
F12-F1200, P12-P2500
0-1 mm, 1-3 mm, 6/10, 10/18, 200 mesh, 325 mesh
D'autres spécifications particulières peuvent être fournies sur demande.
| Grincer | Sic | FC | Fe2O3 |
| F12-F90 | ≥98,50 | <0,20 | ≤0,60 |
| F100-F150 | ≥98,00 | <0,30 | ≤0,80 |
| F180-F220 | ≥97,00 | <0,30 | ≤1,20 |
| F230-F400 | ≥96,00 | <0,40 | ≤1,20 |
| F500-F800 | ≥95,00 | <0,40 | ≤1,20 |
| F1000-F1200 | ≥93,00 | <0,50 | ≤1,20 |
| P12-P90 | ≥98,50 | <0,20 | ≤0,60 |
| P100-P150 | ≥98,00 | <0,30 | ≤0,80 |
| P180-P220 | ≥97,00 | <0,30 | ≤1,20 |
| P230-P500 | ≥96,00 | <0,40 | ≤1,20 |
| P600-P1500 | ≥95,00 | <0,40 | ≤1,20 |
| P2000-P2500 | ≥93,00 | <0,50 | ≤1,20 |
| gruau | Masse volumique apparente (g/cm3) | Haute densité (g/cm3) | gruau | Masse volumique apparente (g/cm3) | Haute densité (g/cm3) |
| F16 ~ F24 | 1,42~1,50 | ≥1,50 | F100 | 1,36~1,45 | ≥1,45 |
| F30 ~ F40 | 1,42~1,50 | ≥1,50 | F120 | 1,34~1,43 | ≥1,43 |
| F46 ~ F54 | 1,43~1,51 | ≥1,51 | F150 | 1,32~1,41 | ≥1,41 |
| F60 ~ F70 | 1,40~1,48 | ≥1,48 | F180 | 1,31~1,40 | ≥1,40 |
| F80 | 1,38~1,46 | ≥1,46 | F220 | 1,31~1,40 | ≥1,40 |
| F90 | 1,38~1,45 | ≥1,45 |
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